電子氣體是特種氣體(指應(yīng)用于特殊領(lǐng)域，對(duì)氣體有特殊要求的純氣)的一個(gè)重要分支，半導(dǎo)體工業(yè)用的氣體統(tǒng)稱電子氣體。
一、電子氣體的分類
電子氣體按純度可分為：純電子氣體、高純電子氣體和半導(dǎo)體特殊材料氣體；
按規(guī)模等級(jí)和適用場(chǎng)合分為：電子級(jí)、LSI(大規(guī)模集成電路)級(jí)、VLSI(超大規(guī)模集成電路)級(jí)、ULSI(特大規(guī)模集成電路)級(jí)。
二、常用電子氣體
外延生長(zhǎng)用電子氣體：
外延生長(zhǎng)是一種單晶材料淀積并生產(chǎn)在襯底表面上的過(guò)程，在半導(dǎo)體工業(yè)中，在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法，生長(zhǎng)一層或多層材料所用的氣體叫做延外氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽(yáng)能電池和其他光感器的非晶硅膜積淀等。
蝕刻用電子氣體：
蝕刻就是講基片上無(wú)光刻膠掩蔽的加工表面(如金屬膜、氧化硅膜)蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來(lái)，以便在基片表面上獲得所有的成像圖形。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體(鹵化物類)，例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。產(chǎn)檢蝕刻氣體
摻雜用電子氣體：
在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中，將某些雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體材料內(nèi)，是材料具有所需要的導(dǎo)電類型和一定的電阻率，以制造電阻、PN結(jié)、埋層等。摻雜工藝所用的氣體成為摻雜氣。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷等。通常將摻雜源與運(yùn)載氣體(如氬氣和氮?dú)?在源柜中混合，混合后氣流連續(xù)注入擴(kuò)散爐內(nèi)并環(huán)繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進(jìn)而與硅反應(yīng)生成摻雜金屬而徒動(dòng)進(jìn)入硅。
化學(xué)氣相淀積用電子氣體：
化學(xué)氣相淀積混合氣體(CVD)是利用揮發(fā)性化合物，通過(guò)氣相化學(xué)反應(yīng)淀積某種單質(zhì)或化合物的一種方法，即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜方法。依據(jù)成膜種類，使用的化學(xué)氣相淀積(CVD)氣體也不相同。
離子注入用電子氣體：
在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中，離子注入工藝所用的氣體統(tǒng)稱為離子注入氣，它是把離子化的雜質(zhì)(如硼、磷、砷等離子)加速到高能級(jí)狀態(tài)，然后注入到預(yù)定的襯底上。離子注入技術(shù)在控制閥值電壓方面應(yīng)用得最為廣泛。注入的雜質(zhì)量可以通過(guò)測(cè)量離子束電流而求得。離子注入氣體通常指磷系、砷系和硼系氣體。
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